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一种多沟道半导体装置具有已完全或部分耗尽的量子井，并且对于超大型积体装置内，像是互补式金氧半晶体管（ＣＭＯＳＦＥＴ），是特别有用的。例如，多沟道区域（１５）设置在衬底（１２）上，并具有形成于最上端沟道区域（１５）上的栅极电极（１６），其间是...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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