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本发明提供了一种常压下生长两层二硫化钨薄层的方法，解决现有制备两层二硫化钨薄膜存在工艺复杂、产率低、结晶质量差的技术问题。该方法，用钨源和硫源作为前驱体，用氯化钠作为催化剂，采用盐辅助法降低钨源的反应温度，以惰性气体为载气，在750
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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