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功率半导体模块制造技术
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文档序号:3190211
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根据本发明的功率半导体模块包括:将功率半导体器件包容其中的模块封装件2A,以及形如框架、且设置在模块2A周围的磁芯6a,从而磁芯6a围绕诸如IGBT的功率半导体器件的芯片8;或者是根据本发明的功率半导体模块包括将功率半导体包容其中的模块封装...
该专利属于富士电机系统株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过富士电机系统株式会社授权不得商用。
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