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公开了一种形成具有阻挡性质的低k介电层的方法。所述方法包括通过PECVD形成掺杂有硼、氮或磷中的一者或多者的介电层。一些实施例的掺杂剂气体可在沉积期间与其他反应物共同流动。动。动。
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该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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