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本发明提供了一种闪存器件的制造方法，其中在形成栅极线之后，在所述栅极线之间形成高度至少与浮置栅极高度相同的ＨＤＰ氧化物膜。使用氮化物膜在余下的空间中形成间隙壁。因此，可以降低浮置栅极之间的电容。在进行离子注入工艺之后，可以除去间隙壁。因此可...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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