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本发明提供一种可以收取氧作为ｎ型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面（上面）具有Ｃ面以外的面的种晶，在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时，保持Ｃ面以外的表面，使氮化镓结晶进行气相成长，通过该表面，在氮化镓结晶中掺杂氧...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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