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描述了形成微电子器件的方法和相关结构。那些方法包括：提供包括包含ｎ－型栅极材料的第一晶体管结构和包含ｐ－型栅极材料的第二晶体管结构的衬底，选择性地去除ｎ－型栅极材料以在第一栅极结构中形成凹进，然后用ｎ－型金属栅极材料填充该凹进。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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