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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其能够提高其中导电塞位于电容器正下方的孔的形成精度，并且该方法包括如下步骤：在第一绝缘膜（１１）中的第一和第二孔（１１ａ，１１ｂ）内形成第一和第二导电塞（３２ａ、３２ｂ）；在防氧化绝缘膜（１４）内形成第...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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