温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种选择性绝缘体上硅（ＳＯＩ）结构，该结构具有用于所有器件的体接触（区），而不包含直接地位于直流（ＤＣ）节点扩散区下面的埋置氧化物。这些节点，比如是施加电压Ｖｄｄ，接地ＧＮＤ，参考电压Ｖｒｅｆ和其它类似设置的ＤＣ节点。本发明的选择性ＳＯＩ结...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。