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本发明披露了一种离子注入掩模（１０）的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体基材（１１）的整个表面上形成作为保护膜的氧化物膜（１２）；在所述氧化物膜（１２）上形成金属薄膜（１３）；在所述金属薄膜（１３）上形成由离子阻止性金属构成的离子阻止层...该专利属于本田技研工业株式会社;新电元工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过本田技研工业株式会社;新电元工业株式会社授权不得商用。
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本发明披露了一种离子注入掩模（１０）的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体基材（１１）的整个表面上形成作为保护膜的氧化物膜（１２）；在所述氧化物膜（１２）上形成金属薄膜（１３）；在所述金属薄膜（１３）上形成由离子阻止性金属构成的离子阻止层...