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提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底，栅极绝缘层，栅电极，氧化层和侧壁。该栅极绝缘层形成在衬底上。该栅电极包括层叠在栅极绝缘层上的上层和下层。该氧化层形成在栅电极上。该侧壁形成在氧化层上。...
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