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提供了一种ＥＳＤ保护设备及其制造方法。该ＥＳＤ保护设备包括第一和第二器件隔离层、第一和第二高浓度第二导电类型杂质区、高浓度第一导电类型杂质区、以及低浓度第一导电类型杂质区。在第一导电类型的半导体衬底上的场区中形成该第一和第二器件隔离层。第一...
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