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半导体器件及其制造方法技术
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将具有以多级层叠芯片的结构的半导体器件制薄。在将聚焦点置于半导体晶片的半导体衬底的内部的情况下,通过照射激光束形成改性区。然后,在通过旋涂方法将液态的接合材料涂覆到半导体晶片的背表面后,使其干燥并形成固体状粘合层。然后,通过使上述改性区成为...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。
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