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本发明提供一种高耐压的半导体器件。由细长的主沟槽部（２６）和与主沟槽部的长度方向侧面连接的副沟槽部（２７）构成有源沟槽（２２ａ），在主沟槽部（２６）的底面上，配置其高度比第二导电类型的基底扩散区（３２ａ）的底面低的第二导电类型的埋入区（２４...
该专利属于新电元工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新电元工业株式会社授权不得商用。

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