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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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具有:在源极/漏极扩散层64上形成Ni膜66的工序;通过进行热处理,使Ni膜66中的下层侧的部分和源极/漏极扩散层64中的上层侧的部分反应,在源极/漏极扩散层64上形成Ni↓[2]Si膜70b的第一热处理工序;有选择地蚀刻除去Ni膜66中的...
该专利属于富士通微电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过富士通微电子株式会社授权不得商用。
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