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一种制造半导体的方法，包括：刻蚀衬底至预定深度以形成具有锥形边缘的上沟道；刻蚀上沟道下方的衬底以形成具有大约垂直边缘的下沟道；形成位于上和下沟道内的期间隔离层；和刻蚀由上和下沟道限定的衬底有源区域至预定深度，以形成用于栅极的凹陷图案。...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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