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提供一种ＧａＮ系半导体装置，其通态电阻低、反偏压的电压外加时的漏电流非常小，而且耐压特性非常优异，其结构具备：Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体层，其至少包含１个带隙能量不同的Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体的异质结结构；第一阳极电极，其以肖特基结合配置在所述Ⅲ－Ⅴ...
该专利属于古河电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过古河电气工业株式会社授权不得商用。

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