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在一个实施例中，在衬底（１０）之上形成栅极电介质层（１８），并在栅极电介质层（１８）的部分上选择性淀积第一金属层（２６），其中形成第一种器件。不同于第一金属层（２６）的第二金属层（２８）形成于栅极电介质层（１８）的暴露部分之上，其中形成第二...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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