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基于氮化物的半导体发光二极管制造技术
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下载基于氮化物的半导体发光二极管的技术资料
文档序号:3187233
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本发明涉及基于氮化物的半导体LED,其通过凸起焊球倒装芯片连接在衬底的引线图案上,包括:基板;形成在基板上的发光结构;形成在发光结构上的电极;保护膜,其形成在所获得的具有在其中形成有电极的结构上,该保护膜暴露电极表面,该电极表面对应于通过凸...
该专利属于三星电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电机株式会社授权不得商用。
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