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本发明是有关于一种高功率金属氧化半导体元件，包括一Ｐ型基极区域，此Ｐ型基极区域具有Ｎ＋型源极且在施以电负载时其偏压与Ｐ型基材不同。在一实施例中，使用ＮＰＮ配置的ＬＤＭＯＳ元件，而且其元件源极与基层接点耦接以防止产生ＮＰＮ寄生元件。Ｐ型基极区...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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