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本发明提供了一种使用双金属镶嵌工艺形成通孔的方法，包括使用灰化工艺从低ｋ材料中的凹形去除材料，而且在凹形的整个侧壁上保持保护间隔物以覆盖凹形中的低ｋ材料。...
该专利属于三星电子株式会社;国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社;国际商业机器公司授权不得商用。

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