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本发明目的是提供一种具有低破损风险的高可靠性的半导体芯片。具体而言，本发明提供一种具有半导体硅衬底的半导体芯片，该半导体硅衬底包含半导体器件层、多孔硅域层，在所述半导体硅衬底的一个表面上的主表面区内形成所述半导体器件层，在背面即该半导体硅衬...
该专利属于尔必达存储器株式会社;株式会社日立制作所所有，仅供学习研究参考，未经过尔必达存储器株式会社;株式会社日立制作所授权不得商用。

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