温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种用于制造嵌入闪存器件的集成电路器件如闪存器件的方法。提供半导体衬底，形成覆盖在存储单元区域上具有第一厚度的第一电介质层和覆盖在外周区域上具有第二厚度的第二电介质层。形成覆盖第一电介质层的衬垫氧化物层，并形成覆盖衬垫氧化物层的氮化物层。图...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。