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本发明公开了一种提高电感品质因子的版图结构，它采用常规的ＣＭＯＳ工艺，可以减少由于衬底感应电流给电感带来的磁通量损失，提高电感Ｑ值，该结构是在电感版图中的衬底和金属层之间增加衬底屏蔽层，所述衬底屏蔽层采用由互补方向连接的十字型封闭对称线结构...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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