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本发明公开一种多位闪存单元的制造方法。在该方法中，首先形成离子注入掩模，以暴露半导体衬底中的沟道区的一部分。在该暴露的区中注入离子，从而局部编码阈值电压，以产生一个具有第一阈值电压的注入离子的沟道区和具有第二阈值电压的未注入离子的第二区。在...
该专利属于东部电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部电子股份有限公司授权不得商用。

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