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本发明提供一种将距晶体管的阱端的距离考虑在内的半导体电路装置的设计方法。具有Ｎ阱（１１２）和Ｐ阱（１１３）的单元中，将从Ｎ阱（１１２）内的接触用Ｎ型区域（１０６）的中心线（１２１）到Ｎ阱端（１０１’）的距离ＳＰ０４，设定成晶体管不受抗蚀剂影...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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