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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件可以包括：栅绝缘层和栅电极，该栅绝缘层和该栅电极形成在具有隔离层的半导体衬底的上方；低密度结区，其形成在该栅电极的两侧；图案化的绝缘层，其在形成的同时露出该低密度结区的一部分；以及...
该专利属于东部电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部电子股份有限公司授权不得商用。

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