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本发明提供一种形成半导体器件的薄膜和金属线的方法。该方法包括步骤：利用原子层沉积方法在半导体衬底上形成ＴａＮ膜；以及通过使ＴａＮ膜与ＮＯ↓［２］进行反应，将一部分ＴａＮ膜转化为Ｔａ，从而形成Ｔａ膜。其中ＮＯ↓［２］是通过将ＮＨ↓［３］与Ｏ↓...
该专利属于东部电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部电子股份有限公司授权不得商用。

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