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一种具有至少两个栅区的半导体器件。所述器件包括提供：包括表面的衬底、衬底中的源区和衬底中的漏区。所述漏区和源区彼此分开。另外，所述器件包括在表面上的第一栅区、在表面上的第二栅区以及在表面上及第一栅区和第二栅区之间的绝缘区。所述第一栅区和第二...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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