温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体器件测试装置，包括：半导体衬底；在衬底上形成的有源区和隔离区；在有源区上形成的至少一个栅极；和在隔离区上形成的至少一个伪栅极。本发明的用于制造半导体器件测试装置的基版包括基底；位于基底上的有源区和隔离区；在有源区和／或...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。