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一种Ｍｇ－Ｓｂ共掺杂ｐ型ＺｎＯ薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：采用射频磁控溅射方法，所需靶材由高纯ＺｎＯ、ＭｇＯ和Ｓｂ２Ｏ３粉末混合压制而成，得到磁控溅射靶材；步骤２：将衬底加温至一恒温；步骤３：利用射频磁控溅射方法，在氩...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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