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半导体结构及其制造方法技术
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文档序号:3183806
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本发明提供一种半导体结构,包括:一基板;一栅极,设置于该基板上;一绝缘层,设置于该基板上并覆盖该栅极;一图案化半导体层,设置于该绝缘层上;一源极与一漏极,设置于该图案化半导体层上;一保护层,覆盖该绝缘层、该源极与覆盖于该漏极的部分边界,露出...
该专利属于友达光电股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过友达光电股份有限公司授权不得商用。
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