温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体集成电路装置，具备：硅基板、在该硅基板表面形成的元件区域、在该元件区域和上述硅基板之间形成的第一绝缘膜、包围上述元件区域并且到达上述第一绝缘膜的沟槽、在该沟槽的侧壁形成的第二绝缘膜、埋入上述沟槽的多晶硅、和在埋入该沟槽中的多晶硅上...
该专利属于株式会社日立制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。