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半导体存储装置以及半导体装置制造方法及图纸
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文档序号:3183245
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在构成大容量DRAM作为硬核的情况下,随着工艺细微化,防止与控制电路群的细微化相伴的比例不均衡引起的面积效率、性能、布线效率降低的因素。存储阵列区域与控制区域接触,并且,从平面上看以凸形配置。由此,在大容量的DRAM等存储器中,能够得到设计...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
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