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提供了一种半导体存储器装置，包括基底区域；第一和第二隔离区；第一阱区域，其中放置有第一晶体管；第二阱区域，其中放置有第二晶体管，用于输出第一电压以将该第一晶体管置于非导通；以及第三阱区域，其中放置有第三晶体管，用于输出第二电压以将该第一晶体...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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