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一种包括绝缘体上半导体（ＳＯＩ）衬底的ＰＭＯＳ器件，所述ＳＯＩ衬底具有在其上提供ｎ型半导体材料的有源层（２４）的绝缘材料层（２２）。通过扩散将ｐ型源极和漏极区（１４、１６）设置在ｎ型有源层（２２）中。将ｐ型栓塞（２８）设置在源极区（１４）处...
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