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在包含铜膜的耦合结构中实现提高的抗ＳＩＶ性和提高的抗ＥＭ性。一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上或上方形成的第二绝缘层；在第二绝缘膜上形成的第二阻挡金属膜，能够防止铜扩散到第二绝缘膜中；以及形成在第二阻挡金属膜上以便与第二阻挡金...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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