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本发明包含具有Ｕ形晶体管（２４０６）的半导体结构（１００），所述Ｕ形晶体管（２４０６）通过蚀刻半导体衬底（１１０）形成。在一个实施方案中，将所述晶体管的源极／漏极区设置在由衬底（１１０）中相交的沟槽限定的支柱对的顶部上。一根支柱通过在环绕的...
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