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一种成像器像素具有光敏ＪＦＥＴ结构，该结构的沟道区位于隐埋的电荷累积区上方。该沟道区具有依赖于累积区中所累积的电荷电平而变化的电阻特性。在积分期期间，入射光使电子累积在隐埋的累积区内部。沟道区的电阻特性响应于累积在累积区中的电荷形成的场而变...
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