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一种半导体工艺测试结构，其包括栅极、电荷陷获层、以及扩散区域。此测试结构为类电容结构，其中此电荷陷获层将在不同工艺步骤中陷获电荷。接着可利用电容－电压测量以检测使否有产生Ｖｆｂ偏移。若此工艺步骤产生了充电效应，则所诱发的电荷将不均匀。若在测...
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