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低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法，属于半导体衬底材料制备技术领域。本发明的方法具体为将7N砷化镓多晶和半绝缘砷化镓晶体回料按一定比例配料，利用腐蚀液清洗多晶料及回料表面杂质及附着物，并将砷化镓多晶料、回料、氧化硼、砷在洁净间内装入...该专利属于云南中科鑫圆晶体材料有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过云南中科鑫圆晶体材料有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司授权不得商用。