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本发明涉及光刻设备和装置制造方法。在使衬底曝光之前，利用基于先前批中的衬底上的对准标记的对准偏移测量和重叠目标的重叠测量而计算的偏移校正和工艺校正实施对衬底的未对准的校正。...
该专利属于ＡＳＭＬ荷兰有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＡＳＭＬ荷兰有限公司授权不得商用。

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