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可缩放集成逻辑和非易失性存储器制造技术
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文档序号:3182198
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一种可缩放逻辑晶体管具有一对用于漏极和源极的掺杂区域。栅极绝缘体层形成在衬底上方并位于所述漏极与源极区域之间。栅极堆叠由两个金属氮化物层之间的例如多晶硅或金属的栅极层形成。可通过在隧道绝缘体与所述栅极堆叠之间添加具有内嵌的金属纳米点层的高K...
该专利属于麦克隆科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过麦克隆科技公司授权不得商用。
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