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提供了一种形成用于浅沟槽隔离区域的分级沟槽的方法。该方法包括提供具有衬底区域的半导体衬底。该方法还包括形成覆盖衬底区域的垫氧化物层。此外，该方法包括形成覆盖垫氧化物层的蚀刻停止层。该方法还包括图案化蚀刻停止层和垫氧化物层以暴露部分衬底区域。...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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