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一种非易失性存储器的抹除方法，此存储器具备有第一导电型基底、设置于第一导电型基底中的第二导电型阱区、设置于第二导电型阱区上的第一导电型阱区、及设置于第一导电型基底上的存储单元，此存储单元包含电荷俘获层与栅极。此抹除方法包括：于栅极施加第一电...
该专利属于力晶半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司授权不得商用。

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