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本发明提供了一种硬掩模层的制造方法，包括：于基底上形成一层掩模层；于掩模层上形成一层图案化光致抗蚀剂层；图案化光致抗蚀剂层具有多个开口，且这些开口暴露部分掩模层；之后，移除部分掩模层，以暴露开口底部的部分基底；进行第一氧等离子体处理工艺，以...
该专利属于力晶半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司授权不得商用。

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