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本发明提供了一种非易失性存储器，具有下列构件：多个隔离结构平行设置于基底中，以定义出有源区，并往第一方向延伸；多个控制栅极平行设置于基底上，并往第二方向延伸，其中第二方向与第一方向交错；多个筒状浮置栅极设置于控制栅极下方，且位于相邻两隔离结...
该专利属于力晶半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司授权不得商用。

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