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一种包括具有第一晶向的衬底的半导体装置。第一绝缘材料位于衬底上且多个硅层位于第一绝缘层上。第一硅层包含具有第二晶向和一晶面的硅。第二硅层包含具有该第二晶向和基本上与该第一硅层的晶面垂直的晶面的硅。因为空穴在（１１０）面比在（１００）面具有更...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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