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本发明提供尽量提高介电常数且降低制造成本的半导体装置及其制造方法。该方法具有：在半导体基板上形成包含（Ｈｆ↓［ｚ］Ｚｒ↓［１－ｚ］）↓［ｘ］Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｏ↓［２－ｙ］（０．８１≤ｘ≤０．９９、０．０４≤ｙ≤０．２５、０≤ｚ≤１）的非晶态...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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