温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种单次可编程存储器，其包括基底、多个隔离结构、第一晶体管与第二晶体管。隔离结构设置于基底中，定义出有源区。各隔离结构上具有凹陷，使隔离结构顶面低于基底顶面。第一晶体管设置于基底的有源区上，且延伸至该凹陷侧壁，第一晶体管的栅极为...
该专利属于力晶半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。